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這些探測(cè)器是在一塊芯片上封裝了四個(gè)單獨(dú)的感光面（四個(gè)獨(dú)立的陽(yáng)極共用一個(gè)陰極），這類探測(cè)器接收光信號(hào)時(shí)可以在中心位置接收到較強(qiáng)的信號(hào)，因?yàn)槊恳粋€(gè)單獨(dú)光敏面類似于一個(gè)單獨(dú)的探測(cè)器可以接收不同電壓的寬光譜或者接收一個(gè)比較寬范圍的電信號(hào)，我公司提供的si 四象限探測(cè)器是集成了四路信號(hào)放大器，可以提供四路的模擬電壓輸出。增益值可以進(jìn)行調(diào)節(jié)，從高探測(cè)率低頻率測(cè)量到低增益寬帶寬，詳細(xì)指標(biāo)參照產(chǎn)品具體信息。

InGaAs APD光電探測(cè)器產(chǎn)品有3個(gè)系列：Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式，而Deschutes BSI™和 Siletz™系列為背照式。FSI 和BSI 的區(qū)別主要是FSI系列產(chǎn)品吸收低于950nm以下波長(zhǎng)，如果應(yīng)用在950nm以上那么BSI系列APD產(chǎn)品提供更高的響應(yīng)率。

硅APD探測(cè)器是0.4～1.1μm波長(zhǎng)光信號(hào)的優(yōu)良探測(cè)器，它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測(cè)距、測(cè)速、測(cè)角、光電探測(cè)和光電對(duì)抗等系統(tǒng)。

常規(guī)探測(cè)器模塊特點(diǎn) 1）產(chǎn)品特點(diǎn) ①光譜范圍：400-1100nm/900-1700nm ②結(jié)構(gòu)緊湊 ③低噪聲、高增益（含前放） ④可根據(jù)客戶要求定制，提供集成了低噪聲放大器的模塊等 ⑤即插即用 ⑥供電方式可選 2）應(yīng)用領(lǐng)域 ①弱光信號(hào)探測(cè) ②光電檢測(cè)系統(tǒng) ③光纖傳感 ④光譜分析